Speicherzelle zur Datenspeicherung – III

Computerdatenspeicher können in flüchtige und nichtflüchtige Speicher unterteilt werden. Flüchtige Speicher wie Dynamic Random Access Memories (DRAMs) sind Kurzzeitspeicher mit hoher Schreibgeschwindigkeit, benötigen aber eine externe Stromquelle zur Datenspeicherung - während nichtflüchtige Flash-Speicher keine externe Stromquelle benötigen und in der Lage sind, Daten über Jahre hinweg zu speichern, aber sie schreiben Informationen etwa 1000 mal langsamer als DRAMs.

Unsere neuartige, auf Halbleiter-Nanostrukturen basierende, Speicherzelle kombiniert die Vorteile der Nichtflüchtigkeit von Flash-Speichern mit der Leistung und Lebensdauer eines DRAMs. Der Speicher besteht aus einer gespannten Doppelheterostruktur, hat eine innere Halbleiterschicht mit Quantenpunkten und ist von zwei äußeren Halbleiterschichten umgeben. Die Speicherzelle nutzt Löcher als Ladungsträger.