Technologieangebot der TU Berlin

Speicherzelle zur Datenspeicherung – III

Patent #10082/TUB
Hintergrund
Computerdatenspeicher können in flüchtige und nichtflüchtige Speicher unterteilt werden. Flüchtige Speicher wie Dynamic Random Access Memories (DRAMs) sind Kurzzeitspeicher mit hoher Schreibgeschwindigkeit, benötigen aber eine externe Stromquelle zur Datenspeicherung - während nichtflüchtige Flash-Speicher keine externe Stromquelle benötigen und in der Lage sind, Daten über Jahre hinweg zu speichern, aber sie schreiben Informationen etwa 1000 mal langsamer als DRAMs.
Technische Beschreibung
Unsere neuartige, auf Halbleiter-Nanostrukturen basierende, Speicherzelle kombiniert die Vorteile der Nichtflüchtigkeit von Flash-Speichern mit der Leistung und Lebensdauer eines DRAMs. Der Speicher besteht aus einer gespannten Doppelheterostruktur, hat eine innere Halbleiterschicht mit Quantenpunkten und ist von zwei äußeren Halbleiterschichten umgeben. Die Speicherzelle nutzt Löcher als Ladungsträger.
Anwendungsmöglichkeiten
Die vorgestellte Speicherzelle ist für optoelektronische Geräte und zur Datenspeicherung geeignet. Computerindustrie, Optoelektronik, Unterhaltungselektronik.
Schreib- und Löschvorgang in einer QD-basierten Speicherzelle
Vorteile
  1. Lochlagerung
  2. Schnelle Schreib-/Löschgeschwindigkeit
  3. Hohe Schaltgeschwindigkeit
  4. [...] weitere Vorteile online
Technischer Reifegrad Angewandte Forschung (TRL: 3)
Schutzrechte
in Anmeldung: EP
erteilt: US, JP
Patentinhaber
Technische Universität Berlin
Möglichkeiten der Zusammenarbeit
  • F&E Kooperation
  • Patentkauf
  • Lizenzierung
Kontaktdaten
Ina KrügerTechnologietransfermanagerin
+49 (0)30 314-75916ina.krueger@tu-berlin.de
Weitere Technologieangebote online: www.zfge.tu-berlin.de/techoffers