Technologieangebot der TU Berlin

Speicherzelle zur Datenspeicherung – IV

Patent #11010/TUB
Hintergrund
Nicht-flüchtige Flash-Speicher können Daten jahrelang speichern, ohne zu aktualisieren, aber sie schreiben Informationen etwa 1000-mal langsamer als flüchtige dynamische Direktzugriffsspeicher (DRAMs).
Technische Beschreibung
Die hier vorgestellte Erfindung ist eine auf Halbleiter-Heterostruktur (Quantenpunkt) basierende Speicherzelle, bei der der Schreibprozess auf der Speicherung von Löchern oder Elektronen basiert und der Löschprozess auf der Rekombination von Elektronen und Löchern basiert. Da bei solchen Speicherzellen die Art der Speicherung zwischen Elektronenspeicherung und Lochspeicherung umgeschaltet werden kann, können sie als binäre Speicherelemente verwendet werden.
Anwendungsmöglichkeiten
Die vorgestellte Speicherzelle ist für optoelektronische Geräte und zur Datenspeicherung geeignet. -Computerindustrie -Optoelektronik -Unterhaltungselektronik
Speicherung von Elektronen in einer Speicherzelle
Vorteile
  1. Langfristige Datenspeicherung
  2. Hohe Lese-/Schreibgeschwindigkeit
  3. Niedrige Schreib-/Löschspannung (weniger als 2V)
  4. [...] weitere Vorteile online
Technischer Reifegrad Angewandte Forschung (TRL: 3)
Schutzrechte
in Anmeldung: EP, DE
erteilt: US
Patentinhaber
Technische Universität Berlin
Möglichkeiten der Zusammenarbeit
  • F&E Kooperation
  • Patentkauf
  • Lizenzierung
Kontaktdaten
Ina KrügerTechnologietransfermanagerin
+49 (0)30 314-75916ina.krueger@tu-berlin.de
Weitere Technologieangebote online: www.zfge.tu-berlin.de/techoffers