Hintergrund
UV LEDs nutzen eine Elektronen-blockierende Schicht (EBL) aus p-dotiertem Magnesium (Mg:AlGaN) um die Lochinjektion in der aktiven Schicht zu verbessern. Dies funktioniert allerdings nur bei Wellenlängen >300 nm und erfordert bei niedrigeren Wellenlängen eine sehr hohe Konzentration von Aluminium. Dies macht die p-Dotierung nahezu unmöglich und die Technik ist aufgrund der sehr schlechten Quantenausbeute für tiefes UV Licht nicht verwendbar.
Technische Beschreibung
Die hier vorgestellte Erfindung ermöglicht eine UV LED Struktur mit einer um den Faktor 3 erhöhten Quantenausbeute. Dies wird durch eine dünne Injektionsschicht aus dotiertem AlGaN oder undotiertem AlN zwischen aktiver und P dotierter Schicht der UV LED, mit oder ohne EBL, erreicht. Diese Schicht ermöglicht das Tunneln der Löcher zur aktiven Schicht und hindert dennoch den Ableitstrom, der die Ausbeute sonst weiter verschlechtert.
Anwendungsmöglichkeiten
Sensortechnik, Messgeräte, Lithografie, Behandlung (Sterilisation, Desinfektion, Pasteurisation), Medizintechnik, Spektroskopie
SChematische Abbildung der Lichtemittierenden Struktur ohne Injektions-Schicht (a), mit Injektionsschicht (b) und zwischen aktiver Zone und EBL (c).
