Hochbrillanter, kantenemittierender Halbleiter auf Basis eines einzigartigen vertikalen Wachstumsprofils
Patent 14058

Herkömmliche Hochleistungslaser weisen häufig eine schlechte Strahlqualität auf. Die Erfindung löst dieses Problem durch ein einzigartiges räumliches Schichtdesign und ein Brechungsindexprofil, das den Wellenleiter definiert.

Vorteile
  1. Präzise Steuerung der Nah- und Fernfeldprofile im Dauerstrich- und Impulsbetrieb
  2. Hohe Strahlqualität und Unterdrückung von Astigmatismus, insbesondere im Single-Mode-Betrieb
  3. Effiziente Unterdrückung von Moden höherer Ordnung und Modenauswahl durch softwaredefinierte Brechungsindexprofile
  4. Reduzierung der optischen Verluste innerhalb des Wellenleiters
  5. Hohe Kopplungseffizienz mit externen optischen Systemen
  6. Vermeidung des Multimodenbetriebs und unerwünschter Intensitätsverteilungen
  7. Senkung der Systemkosten für photonische und industrielle Laseranwendungen
Anwendungsmöglichkeiten

Die Erfindung ebnet den Weg für Single-Mode-Laser mit hoher Lichtleistung (Dauerstrich und gepulst), die in der optischen Kommunikation, der Materialbearbeitung, der Sensortechnik sowie in medizinischen und wissenschaftlichen Lasersystemen zum Einsatz kommen. Zu den weiteren Anwendungsbereichen zählen faserkopplte Lasermodule, integrierte photonische Komponenten und Pumpquellen für Festkörper- oder Faserlaser. Aufgrund der verbesserten Strahlqualität ist die Technologie besonders relevant für Systeme, bei denen hohe Lichtleistung mit kostengünstiger Strahlformung kombiniert werden muss.

Hintergrund

Konventionelle Hochleistungslaser weisen häufig eine geringe Strahlqualität auf, da mehrere transversale Moden gleichzeitig angeregt werden. Dies führt zu komplexen Nahfeldprofilen und breiten Fernfeldverteilungen. Bestehende Ansätze zur Modenkontrolle verursachen häufig zusätzliche Verluste oder begrenzen die maximal erreichbare Ausgangsleistung.

Technische Beschreibung

Die Vorrichtung umfasst einen Wellenleiter mit mehreren Schichten unterschiedlicher Brechungsindizes. Mindestens eine Schicht besitzt einen über ihre Dicke variierenden Brechungsindex. Dadurch entsteht eine kontrollierte Kopplung zwischen transversalen Moden. Die Patentschrift beschreibt verschiedene Ausführungsformen mit einzelnen oder multiplen niedrig- bzw. hochbrechenden Schichten sowie periodischen Strukturen. In mehreren Figuren wird gezeigt, dass unerwünschte Nebenmaxima im Nahfeld unterdrückt und gleichzeitig ein einzelnes intensives Fernfeldmaximum erzeugt werden können. Zusätzlich werden Ausführungen mit integrierten Verstärkungsbereichen, Pumpquellen und Resonatorstrukturen beschrieben.

Die Technologie kann sowohl in Halbleiterlasern als auch in anderen integrierten optischen Komponenten eingesetzt werden.

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Ina Krüger

Technologietransfermanagerin

+49 (0)30 314-75916
ina.krueger@tu-berlin.de

Technischer Reifegrad
TRL 4

Versuchsaufbau im Labor

Schutzrechte

erteilt: US

Patentinhaber

Technische Universität Berlin

Möglichkeiten der Zusammenarbeit
  • F&E Kooperation
  • Lizenzierung
  • Patentkauf