Die vorgestellte Speicherzelle ist für optoelektronische Geräte und zur Datenspeicherung geeignet. Angewendet werden kann sie etwa in der Computerindustrie, Optoelektronik oder Unterhaltungselektronik.
- Langfristige Datenspeicherung
- Hohe Lese-/Schreibgeschwindigkeit
- Niedrige Schreib-/Löschspannung (weniger als 2V)
- Umschaltbar zwischen Loch- und Elektronenspeicher
- Hohe Wechselgeschwindigkeit
Die vorgestellte Speicherzelle ist für optoelektronische Geräte und zur Datenspeicherung geeignet. -Computerindustrie -Optoelektronik -Unterhaltungselektronik
Hintergrund
Nicht-flüchtige Flash-Speicher können Daten jahrelang speichern, ohne zu aktualisieren, aber sie schreiben Informationen etwa 1000-mal langsamer als flüchtige dynamische Direktzugriffsspeicher (DRAMs).
Technische Beschreibung
Die hier vorgestellte Erfindung ist eine auf Halbleiter-Heterostruktur (Quantenpunkt) basierende Speicherzelle, bei der der Schreibprozess auf der Speicherung von Löchern oder Elektronen basiert und der Löschprozess auf der Rekombination von Elektronen und Löchern basiert. Da bei solchen Speicherzellen die Art der Speicherung zwischen Elektronenspeicherung und Lochspeicherung umgeschaltet werden kann, können sie als binäre Speicherelemente verwendet werden.
Ina Krüger
Technologietransfermanagerin
+49 (0)30 314-75916
ina.krueger@tu-berlin.de
Nachweis der Funktionstüchtigkeit einer Technologie (PoC)
in Anmeldung: EP, DE
erteilt: US
Technische Universität Berlin
- F&E Kooperation
- Lizenzierung
- Patentkauf
