Diese neuartige Speicherzelle weist sowohl hohe Leistung als auch eine lange Lebensdauer auf und kann in der Computerindustrie, Optoelektronik oder Unterhaltungselektronik verwendet werden.
- Lochlagerung
- Schnelle Schreib-/Löschgeschwindigkeit
- Hohe Schaltgeschwindigkeit
- Datenspeicherung für viele Jahre
- Einsatz von Halbleiter-Nanostrukturen (Quantenpunkte, -drähte oder -quellen)
- Modulationsdotierter Feldeffekttransistor (MODFET) Typ
Die vorgestellte Speicherzelle ist für optoelektronische Geräte und zur Datenspeicherung geeignet. Computerindustrie, Optoelektronik, Unterhaltungselektronik.
Hintergrund
Computerdatenspeicher können in flüchtige und nichtflüchtige Speicher unterteilt werden. Flüchtige Speicher wie Dynamic Random Access Memories (DRAMs) sind Kurzzeitspeicher mit hoher Schreibgeschwindigkeit, benötigen aber eine externe Stromquelle zur Datenspeicherung – während nichtflüchtige Flash-Speicher keine externe Stromquelle benötigen und in der Lage sind, Daten über Jahre hinweg zu speichern, aber sie schreiben Informationen etwa 1000 mal langsamer als DRAMs.
Technische Beschreibung
Unsere neuartige, auf Halbleiter-Nanostrukturen basierende, Speicherzelle kombiniert die Vorteile der Nichtflüchtigkeit von Flash-Speichern mit der Leistung und Lebensdauer eines DRAMs. Der Speicher besteht aus einer gespannten Doppelheterostruktur, hat eine innere Halbleiterschicht mit Quantenpunkten und ist von zwei äußeren Halbleiterschichten umgeben. Die Speicherzelle nutzt Löcher als Ladungsträger.
Ina Krüger
Technologietransfermanagerin
+49 (0)30 314-75916
ina.krueger@tu-berlin.de
Nachweis der Funktionstüchtigkeit einer Technologie (PoC)
erteilt: US, JP, DE, FR, GB, IE, KR
Technische Universität Berlin
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